数据中心面临耗电和减排双重压力：节流容易 开源难

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【本文要点】要点一：中心重压InCl3后处理在In2S3表面生成InOClXPS结果表明：中心重压经过InCl3处理样品的S2p峰强度急剧降低，意味着在In2S3 层上引入了一层薄薄的不含硫的材料。Cl3p与In5s和In5p之间存在显著杂化，面临能量区间为-7.0eV至0eV。

同时，耗电和减该界面层有助于在电子传输层/吸收层界面处形成更有利的悬崖状能带排列，并抑制In2S3在潮湿空气中转化为In(OH)3。O1s是以约532.1eV为中心的主峰，排双归属于In2S3在大气环境下潮解产生的In(OH)3，排双InCl3后处理导致产生了一个额外的中心位于约530.0eV的新峰，可归属于InOCl中的晶格氧。【文章信息】新型宽带隙InOCl界面层钝化In2S3/Sb2(S,Se)3异质结太阳能电池界面缺陷第一作者：力节流容王长雪通讯作者：力节流容周儒*单位：合肥工业大学，牛津大学【研究背景】Sb2S3、Sb2Se3、Sb2(S,Se)3等锑基硫属化合物凭借其优异的材料和光电性能，如吸收系数高（~105 cm-1）、带隙可调（1.1-1.7eV）、原料丰富且环境友好、易于制备、材料稳定性优异等优点，在太阳能电池领域获得广泛关注。

因此，易开源难通过界面工程有效修复缺陷对于构建高质量异质结以促进电荷分离和传输非常重要。In空位密度的降低将有助于抑制电荷复合、数据促进电荷传输。

高密度缺陷会在In2S3薄膜中引起严重的缺陷诱导电荷复合，中心重压特别是在电子传输层/吸收层界面处，从而限制In2S3基光电器件性能的提升。

通过有效的缺陷修复以显著抑制界面复合，面临基于In2S3/InOCl的Sb2(S,Se)3太阳能电池获得了5.20%的光电转换效率，面临是In2S3基锑硫属化物薄膜太阳能电池的最高效率。11月细分产品渗透率：耗电和减UHD64%;大尺寸49%;智能90%;曲面7%、超轻薄6%。

11月重点尺寸销量份额：排双TOP3：55英寸32.0%、32英寸16.2%、43英寸8.3%。力节流容11月彩电线上市场销量为380万台,同比增长25.1%,线上占全渠道比重为61.4%。

易开源难导读：11月彩电市场销量618万台,同比增长7.3%,环比上升41.1%;销额206亿元,同比增长15.0%,环比上升29.5%数据11月彩电线上市场销量为380万台,同比增长25.1%,线上占全渠道比重为61.4%。